ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4RQ-046 WT:E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 556-WFBGA (12.4x12.4) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 556-WFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 32Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 64 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 2.133 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53D512 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53D512M64D4RQ-046 WT:E | MT53D512M64D4HR-053 WT:D | MT53D768M32D2NP-046 WT:A | MT53D768M64D4NZ-046 WT:A |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Box |
| ความถี่นาฬิกา | 2.133 GHz | 1.866 GHz | - | 2.133 GHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53D512 | MT53D512 | - | MT53D768 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 64 | 512M x 64 | - | 768M x 64 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 32Gbit | 32Gbit | - | 48Gbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 556-WFBGA (12.4x12.4) | 366-WFBGA (12x12.7) | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.1V | - | 1.1V |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | - | DRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | - | -30°C ~ 85°C (TC) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | - | Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 556-WFBGA | 366-WFBGA | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53D512M64D4RQ-046 WT:E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53D512M64D4RQ-046 WT:E - Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4HR-053WT:DMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053WTDMicron TechnologyMT53D512M64D4HR-053 WT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 366WFBGAMT53D512M64D4HR-053Micron TechnologyMT53D512M32D2DS-053WTMicronMT53D512M32D2DS-053AIT:DMicronMT53D768M32D2NP-046 WT:AMicron Technology Inc.IC LPDDR4 24G 768MX32 FBGAMT53D768M64D4NZ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGA QDPMT53D768M64D4SQ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGAMT53D512M32D2DS-053AITDMicron TechnologyMT53D768M64D4SQ-046 WTAMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053WT:DMicron TechnologyMT53D768M64D4SQ-046WT:AMicron TechnologyMT53D512M64D8HR-053 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 366WFBGAMT53D512M64D4RQ-053WT:EMicron TechnologyMT53D512M64D4RQ-053WTEMicron TechnologyMT53D768M32D2NP-046Micron TechnologyMT53D512M64D4NW-046 WT:FMicron Technology Inc.LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที